|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
страницы:
1
2
Текущая страница: 1
|
|
Министерство высшего образования РФ.
Уральский государственный университет – УПИ
Кафедра “Технология и средства связи”
Расчетно-графическая работа
Полупроводниковый диод
«КД213А»
Преподаватель: Болтаев А.В.
Студент: Черепанов К.А.
Группа: Р-207
Екатеринбург
2000
Аннотация
В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.
Содержание
Краткая характеристика диода 4
Паспортные параметры: 4
Электрические 4
Предельные эксплуатационные 4
Вольт-амперная характеристика 5
При комнатной температуре 5
При повышенной 6
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6
Определение величины TKUпрям TKIобр 6
Определение сопротивления базы rб 9
Приближенное 9
Точное 9
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10
Библиографический список 10
Затраты времени на: 10
Информационный поиск 10
Расчеты 10
Оформление 10
Краткая характеристика диода
Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Масса диода не более 4 г.
КД213А
Рисунок 1
Паспортные параметры:
Электрические
Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В
Постоянный обратный ток при, не более:
Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА
Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:
КД213А…………………………………………………………...………………………300нс
Емкость диода, не более:
при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ
при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ
Предельные эксплуатационные
Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В
Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ……..…..………10А
Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000………………...…………100А
Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи? 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А
Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц
Тепловое сопротивление
переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт
переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт
Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С
Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С
Общая таблица параметров
Предельные значения параметров при Т=25?С
Tk max (Tпмах) [Тмах]?С
Значения параметров при Т= 25?С
R т п-к, ?С/Вт
I пр, ср max
А
Uобр, и, п мах, В
Uобр мах, В
Iпрг (Iпр, уд)мах, А
fмах, кГц
Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В
tвос, обр (tвос, обр при Tп мах), мкс
I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА
Т?С
tи(tпр), мс
Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А
Iпр, и, А
Uпр, и, В
10
85
200
200
100
10
100
140
1
10
0,3
1
20
0,2
1,5
Вольт-амперная характеристика
При комнатной температуре
При повышенной
Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С
Зависимость R= от Uпр
Uпр
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
R=
0,3
0,2333333
0,16
0,1125
0,090909
0,073333
Зависимость r~ от Uпр
Uпр
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
r~
0,1
0,0666667
0,05
0,044444
0,038462
Зависимость R= от Uобр
Uобр
50
100
150
200
250
300
R=
3571429
6666666,7
8333333
4878049
2777778
1304348
Зависимость r~ от Uобр
Uобр
50
100
150
200
250
r~
50000000
25000000
5555556
2631579
1157407
Зависимость Cдиф от Uпр
Uпр
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
Сдиф
0,08
0,12
0,2
0,32
0,44
0,6
Зависимост Сб от Uобр
Определение величины TKUпрям TKIобр
Определение сопротивления базы rб
Приближенное
Точное
Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема
Библиографический список
Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.
Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.
Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)
Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.
Текущая страница: 1
|
|
|
|
|
 |
Предмет: Физика
|
 |
Тема: Расчетно-Графическая работа ППД КД213А |
 |
Ключевые слова: Радиоэлектроника компьютеры и периферийные устройства, устройства, КД213А, РГР, Полупроводник, диод, РГР диод Полупроводник kd213a, компьютеры, kd213a, Радиоэлектроника, ППД, Расчетно-Графическая работа ППД КД213А, периферийные, работа, Расчетно-Графическая |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
