|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
страницы:
1
2
3
Текущая страница: 1
|
|
Схемотехника
1. Базовые элементы ТТЛ 155-й серии. Схемы, принцип работы, назначение элементов ИЛИ К155ЛА3 и К155ЛР1.
ТТЛ
Обеспечивает требование быстродействия и потребляемой мощности. В интересах согласования с ЛЭ других типов используются преобразователи уровня в виде схемы с простым инвертором или со сложным инвертором. Для реализации можно использовать диодно-резисторную логику (Шотки) со сложным инвертором.
ЛЭ ТТЛ с простым инвертором
Достоинства
Простота технической реализации (на одном кристалле).
Малые паразитные емкости, следовательно большое быстродействие.
Недостатки
Более низкая помехоустойчивость по сравнению с ДТЛ (U+пом ТТЛ < U+пом ДТЛ, U-пом ТТЛ < U-пом ДТЛ)
Малый Kраз (Kраз — число единичных нагрузок, одновременно подключенных к выходу ЛЭ)
Применяется в тех случаях, когда не требуется высокие устойчивость от статических помех и Kраз.
Схема с открытым коллектором.
Можно включать резистор, светодиод, реле, обмотку мощного трансформатора. Схема ТТЛ явл. дальнейшим развитием ДТЛ. Так ДРЛ (диодно-резисторная логика) заменена на МЭТ (многоэмиттерный транзистор) с резистором.
Рис.1
Для реализации операции y=x1x2
Рис.2
Рис.3
База–коллектор VT1 выполняют функцию смещающего диода VD3 с схеме ДТЛ. Эквивалент диода VD4 ДТЛ в схеме ТТЛ отсутствует.
Достоинства
Отсутствует сопротивление утечки (в ДТЛ R2).
МЭТ обеспечивает рассасывание неосновных носителей из области базы VT2
Условия
Положительная логика
1 случай
x1=x2=1, т.е. Ux1=Ux2=U1 ( “1”
МЭТ выполняет следующие функции:
Операция “И”
Усиление сигнала.
VD1, VD2.
VD3 в схеме ЛЭ ДТЛ.
VD1 ( (база-эмиттер VT1)х1,
VD2 ( (база-эмиттер VT1)х2.
Диод смещения VD3 ( база-коллектор VT1
Переход база-эмиттер VT1 смещённый в обратном направлении; переход база-коллектор VT1 смещён в прямом направлении, ( режим активный инверсный
Uк-э МЭТ ( 0,1 В
Uа = Uб-к VT1 о + Uб-эVT2 о – Uк-эVT1 ( 1,5 В
VT2, R2 реализуют “НЕ”. Принцип такой же, как в ДТЛ (VT2 открыт, насыщен. Rвых мало (( 5..40 Ом) ( Uy = U0 ( 0,2В
2 случай
Ux1 = 0,2В Ux2 = 4В
(Up – Un)VT1 x1 = UИП – Ux1 =5 – 0,2 = 4,8В
Открыт, т.о. Ua = Uб-эVT1 x1 откр. + Ux1 = 0,8 + 0,2 = 1В
Для того, чтобы открыть VT1б-к и VT2э-б требуется
VT2 закрыт.
МЭТ находится в открытом и насыщенном состоянии. Режим активный и насыщенный.
ЛЭ ТТЛ-типа серии К155
Краз мало в ТТЛ с простым инвертором
Rвых ( Rк VT
Для устранения недостатка применяют ТТЛ со сложным инвертором.
Рис.4 ЛЭ ТТЛ-типа со сложным инвертором.
Состав схемы
На VT1 МЭТ и R1 собран коньюнктор .
Сложный инвертор (VT2-VT5, R2-R5).
Демпфирующий диод VD3.
Сложный инвертор включает в себя:
VT2 c R2, R3, R4, VT5. С одной стороны фазоразделительный каскад с корректирующей цепочкой VT5, R3, R4.
Выходной каскад (VT3, VT4, VD3, R5).
Эмиттерный повторитель на VT3 (ЭП).
Инвертор на VT4.
Назначение VD1, VD2.
Это так называемые демпфирующие диоды — для шунтирования (на корпус) сигнала отрицательной полярности с уровнем более 0,6В. При положительной логике уровни сигналови при UИП = +5В.
Входные цепи имеют паразитное С и паразитное L.
Наводки (наведённые статические помехи).
Первые создает колебательный контур (к/к)
Рис. 5
В момент окончания сигнала (Ua – Uk)VD1,2 = 0 – (-0,8) = 0,8В > UVD3 = 0,6В
( VD1 открыт и ( RVD О = Rпр = 5..20 Ом и устраняется отрицательная полярность в помехе. Положительная помеха влияния не оказывает вследствие своей малости.
МЭТ
VT1, R1 предназначены для реализации операции “И”. Он представляет собой диодную сборку. Сравним с ДТЛ
(б–э)х1 ( VD1 (ДТЛ).
(б–э)х2 ( VD2 (ДТЛ).
(б–к)VT1 ( VD3 (диод смещения ДТЛ)
Выполняет операцию усиления.
При закрывании VT2 c области базы (p) осуществляется рассасывание неосновных носителей ( VT1 заменяет Rутечки, включенную в цепь базы транзистора VT1 ДТЛ (R3).
Режим работы транзистора VT1
Режим насыщения.
Активный инверсный.
Происходит в случае воздействия на вход сигнала низкого уровня. В этом случае б–э смещаются в прямом направлении, R мало, транзистор открыт и насыщен; б–к смещен в обратном направлении, но открыт.
Если на x1 и x2 подана “1”, то б–э смещены в обратном направлении, R велико, а б–к смещен в прямом направлении (R мало).
Рассмотрим назначение VT2
Если замкнуть R3 на корпус и сделать два разрыва (как показано на рис.4). VT2 предназначен для управления VT3 и VT4. В насыщенном состоянии ток IэVT2=Iк+Iб (IнVT2 < IнVT4). Если в точке k «–», то в точке с «–».
VT3(ЭП)
ЭП имеет Rвых малое при любой нагрузке в эмиттерной цепи. Rвых при выключенном ЛЭ также мало. В случае воздействия на вход «0» закрывается VT3. Этим исключается возможность протекания сквозного тока от источника питания через открытые VT3 и VT4. В случае открытого VT3 VD3 закрывается, т.е. отсутствует недостаток простого инвертора, т.е. мощность потребления меньше.
1 случай
U1 = U2 = U1 ( “1”
(б-э)VT1 смещены в обратном направлении.
(б-к)VT1 смещён в прямом направлении. ( VT1 работает в активном инверсном режиме. Потенциал т. а достаточен, чтобы открыть переход (б-к)VT1, (б-э)VT2, (б-э)VT5 и (б-э)VT4.
Текущая страница: 1
|
|
|
|
|
 |
Предмет: Физика
|
 |
Тема: Схема сопряжения датчика с ISA |
 |
Ключевые слова: ТТЛ, ISA, Радиоэлектроника, схемотехника ТТЛ шина температура давление, Схема, давление, сопряжения, шина, Радиоэлектроника компьютеры и периферийные устройства, устройства, Схема сопряжения датчика с ISA, компьютеры, датчика, температура, периферийные, схемотехника |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
