Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1.  : Физика - на REFLIST.RU

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1. : Физика - на REFLIST.RU

Система поиска www.RefList.ru позволяет искать по собственной базе из 9 тысяч рефератов, курсовых, дипломов, а также по другим рефератным и студенческим сайтам.
Общее число документов более 50 тысяч .

рефераты, курсовые, дипломы главная
рефераты, курсовые, дипломы поиск
запомнить сайт
добавить в избранное
книжная витрина
пишите нам
  Ссылки:
Сейшелы из Челябинска
Список категорий документа Физика
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1.

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1.

Кибернетика, компьютеры, Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1., Элементная, аппаратуры-1., Кибернетика  компьютеры  программирование, радиоэлектронной, программирование, база Ключевые слова
страницы: 1  2  3 
Текущая страница: 1


УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3





















Работу не высылать.
УПИ – УГТУ


Кафедра радиоприёмные устройства.















Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.


Вариант № 17

Шифр:


Ф.И.О


Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3





















Работу не высылать.
Аннотация.



Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.



Диод 2Д510А



Краткая словесная характеристика диода.



Диод кремниевый эпитаксиально- планарный.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода.
Масса диода не более 0,15 г.



Паспортные параметры.


Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА более:
при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В
при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В
Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В, не более:
при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА
при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА
Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более ………………. 400 пКл
Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В, не более ………………………………… 4 пФ
Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В,
Iотсч= 2 мА не более ……………………………………………………………… 4 нс

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и
периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В
Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В)
не более 2 мкс и скважности не менее 10 ………………………………………… 70 В
Постоянный или средний прямой ток:
при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА
при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА
Импульсной прямой ток при ?и ? 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):
при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА
при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА
Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К
Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до
393 К

Семейство вольтамперных характеристик:







Iпр,мА








200








160








120








80








40








0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
Uпр,В 





Расчёты и графики зависимостей:




сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К.
Зависимость тока от прямого напряжения:

Iпр,мА













200
I8













180













160













140













120













100














80













60













40














20
I1













0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
U1
0,8
0,9
1,0
1,1
U8
Uпр,В 




I1 = 10 мА, U1 = 0,63 В, R1 = U1 / I1 = 0,63 / 10 мА = 63 Ом
I2 = 20 мА, U2 = 0,73 В, R2 = U2 / I2 = 0,73 / 20 мА = 36,5 Ом
I3 = 40 мА, U3 = 0,81 В, R3 = U3 / I3 = 0,81 / 40 мА = 20,3 Ом
I4 = 60 мА, U4 = 0,86 В, R4 = U4 / I4 = 0,86 / 60 мА = 14,3 Ом
I5 = 80 мА, U5 = 0,90 В, R5 = U5 / I5 = 0,90 / 80 мА = 11,3 Ом
I6 = 120 мА, U6 = 0,97 В, R6 = U6 / I6 = 0,97 / 120 мА = 8,03 Ом
I7 = 160 мА, U7 = 1,03 В, R7 = U7 / I7 = 1,03 / 160 мА = 6,4 Ом
I8 = 200 мА, U8 = 1,10 В, R8 = U8 / I8 = 1,10 / 200 мА = 5,5 Ом

?I1 = 10 мА, ?U1 = 0,10 В, r1 = ?U1 / ?I1 = 0,10 / 10 мА = 10 Ом
?I2 = 20 мА, ?U2 = 0,08 В, r2 = ?U2 / ?I2 = 0,08 / 20 мА = 4 Ом
?I3 = 20 мА, ?U3 = 0,05 В, r3 = ?U3 / ?I3 = 0,05 / 20 мА = 2,5 Ом
?I4 = 20 мА, ?U4 = 0,04 В, r4 = ?U4 / ?I4 = 0,04 / 20 мА = 2 Ом
?I5 = 40 мА, ?U5 = 0,07 В, r5 = ?U5 / ?I5 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом
?I6 = 40 мА, ?U6 = 0,06 В, r6 = ?U6 / ?I6 = 0,06 / 40 мА = 1,5 Ом
?I7 = 40 мА, ?U7 = 0,07 В, r7 = ?U7 / ?I7 = 0,07 / 40 мА = 1,7 Ом Зависимость сопротивления постоянному току R= от прямого напряжения Uпр:



Текущая страница: 1

страницы: 1  2  3 
Список предметов Предмет: Физика
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1. Тема: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1.
Кибернетика, компьютеры, Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1., Элементная, аппаратуры-1., Кибернетика  компьютеры  программирование, радиоэлектронной, программирование, база Ключевые слова: Кибернетика, компьютеры, Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1., Элементная, аппаратуры-1., Кибернетика компьютеры программирование, радиоэлектронной, программирование, база
   Книги:


Copyright c 2003 REFLIST.RU
All right reserved. liveinternet.ru

поиск рефератов запомнить сайт добавить в избранное пишите нам