Фоторезисторы.  : Физика - на REFLIST.RU

Фоторезисторы. : Физика - на REFLIST.RU

Система поиска www.RefList.ru позволяет искать по собственной базе из 9 тысяч рефератов, курсовых, дипломов, а также по другим рефератным и студенческим сайтам.
Общее число документов более 50 тысяч .

рефераты, курсовые, дипломы главная
рефераты, курсовые, дипломы поиск
запомнить сайт
добавить в избранное
книжная витрина
пишите нам
  Ссылки:
Чили из Челябинска
Список категорий документа Физика
Фоторезисторы.

Фоторезисторы.

Кибернетика, Фоторезисторы., Кибернетика  компьютеры  программирование, программирование, компьютеры Ключевые слова
страницы: 1 
Текущая страница: 1


ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.
Основные характеристики фотосопротивлений.
Рабочая площадь.

Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом.
Удельная чувствительность
где:


-фототок, равный разности токов в темноте и на свету;
Ф - световой поток;
U - приложенное напряжение.

Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ).
Среднее относительное изменение сопротивления, % -
обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,




, где :



-сопротивление в темноте;



-сопротивление в освещенном состоянии.

6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением :


Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики.











Схема включения фоторезисторов:


















При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).

















С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы

Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., « Советское радио», 1973.


2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965.




Текущая страница: 1

страницы: 1 
Список предметов Предмет: Физика
Фоторезисторы. Тема: Фоторезисторы.
Кибернетика, Фоторезисторы., Кибернетика  компьютеры  программирование, программирование, компьютеры Ключевые слова: Кибернетика, Фоторезисторы., Кибернетика компьютеры программирование, программирование, компьютеры
   Книги:


Copyright c 2003 REFLIST.RU
All right reserved. liveinternet.ru

поиск рефератов запомнить сайт добавить в избранное пишите нам